据九峰山实验室官微消息，近日，九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面越级提升，为下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术发展提供有力支撑。

据悉，九峰山实验室此技术成果，是全球首次在8英寸硅衬底上实现氮极性氮化镓高电子迁移率功能材料（N-polar GaNOI）制备，打破了国际技术垄断。其主要突破体现在以下三个方面：一是成本控制，采用硅基衬底，兼容8英寸主流半导体产线设备，深度集成硅基CMOS工艺，使该技术能迅速适配量产工艺；二是材料性能提升，材料性能与可靠性兼具；三是良率提升，键合界面良率超 99%。以上突破为该材料大规模产业化奠定了重要基础。

氮极性氮化镓材料在高频段（如毫米波频段）的性能非常出色，这对于需要高频操作的领域来说十分重要，5G/6G通信、卫星通信、雷达系统等领域都有望从中获益。一旦突破量产技术临界点，氮极性氮化镓材料将在以上领域开辟新的应用场景，对产业发展起到革新性推动作用。所以氮极性氮化镓已成为国际科研界争相深入探索的焦点材料。

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