来源：英飞凌

l英飞凌基于先进200毫米SiC晶圆制造技术向客户发布首款碳化硅产品

l产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用提供一流的SiC功率技术

l生产200 毫米 SiC 产品将加强英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先地位

近日，英飞凌科技股份公司在其 200 毫米碳化硅 (SiC) 路线图上取得了重大进展。该公司将于 2025 年第一季度向客户发布首批基于先进 200 毫米 SiC 技术的产品。该产品在奥地利菲拉赫生产，为可再生能源、火车和电动汽车等高压应用提供一流的 SiC 功率技术。此外，英飞凌马来西亚居林工厂从150毫米晶圆向更大、更高效的200毫米晶圆直径的转型也已全面推进。新建的Module 3工厂将根据市场需求开始大批量生产。

英飞凌首席运营官 Rutger Wijburg 博士表示：“公司SiC 生产正在按计划进行，能够向客户发布的此次首批产品，我们感到十分荣幸。未来将通过分阶段提高菲拉赫和居林两地的产量，进一步提升成本效益并确保产品质量。同时，我们正在确保公司的制造能力能够满足对碳化硅功率半导体的需求。”

SiC 半导体通过更高效地切换电力、在极端条件下表现出高可靠性和稳健性以及实现更小的设计，彻底改变了大功率应用。英飞凌的 SiC 产品让客户能够为电动汽车、快速充电站和火车以及可再生能源系统和人工智能数据中心开发节能解决方案。向客户发布首批基于200毫米晶圆技术的SiC产品，标志着英飞凌SiC发展路线图迈出了实质性的一步，该路线图重点致力于为客户提供全面的高性能功率半导体产品组合，可有助于绿色能源并减少二氧化碳。

作为高度创新的宽带隙 (WBG) 技术的“英飞凌一个虚拟工厂”，英飞凌位于菲拉赫和居林的生产基地共享技术和工艺，可实现碳化硅和氮化镓 (GaN) 制造的快速提升以及平稳高效的运营。200 毫米 SiC 制造业务进一步巩固了英飞凌在提供业界领先的半导体技术和电源系统解决方案方面的卓越成就，并增强了公司在整个功率半导体领域（包括硅、SiC 和 GaN）的技术领导地位。

原文链接：

https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2025/INFXX202502-055.html

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